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TPN3R704PL,L1Q东芝TOSHIBA产品规格书pdf


TOSHIBA_TPN3R704PL,L1Q产品规格书pdf【产品实拍图】
TSON_8_Advance_SPL[1].jpg
TOSHIBA_TPN3R704PL,L1Q产品规格书pdf【参数描述】

产品属性属性值
制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS: 
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSON-Advance-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:80 A
Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V
Qg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:86 W
通道模式:Enhancement
商标名:U-MOSIX-H
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
商标:Toshiba
配置:Single
下降时间:6.2 ns
高度:0.85 mm
长度:3.1 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:5.3 ns
系列:TPN3R704PL
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:24 ns
典型接通延迟时间:14.7 ns
宽度:3.1 mm
单位重量:20 mg

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